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Laboratorio SIMS y Análisis de Superficies 

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Dr. René Asomoza Palacio

Investigador CINVESTAV, 3D.
Doctor de estado (Fiísica del Estado Sólido) 1980
Universidad de París, Orsay, Francia.
Líneas de investigación:
Difracción de Rayos-X.
Propiedades de transporte eléctrico de semiconductores.
Semiconductores no cristalinos.
Espectrometría de Masas de Iones Secundarios.
Categoria en el SNI: Nivel III
rasomoza@cinvestav.mx
Tels. 5557473800 Ext. 1411


Dr. Iouri Koudriavtsev


Investigador CINVESTAV, 3A.
Doctor en física Electrónica y en física de semiconductores, 1998
Universidad Técnica Estatal de San Petersburgo
Líneas de investigación:
Espectrometría de masas de iones secundarios, Fenómeno de pulverización (sputtering).
Emisión de moléculas, Pulverización preferencial.
Modificación de la composición superficial.
Análisis de cuerpos sólidos por SIMS.
Cuantificación de impurezas, estructuras en capas.Razón isotópica a base de compuestos III-V
yuriy@cinvestav.mx
Tels: 5557473800 Ext. 6255, 6250


Maria Georgina Ramirez Cruz

 

Auxiliar de investigación.
Maestra en Tecnología Avanzada, 2010
Unidad Interdisciplinaria de Ingeniería y Tecnologías Avanzadas del Instituto Politécnico Nacional.
Líneas de investigación:
Auxiliar en el área de investigación de:
Espectrometría de Masas de Iones Secundarios
Análisis de películas delegadas de Six Gex-1 por SIMS.
Cuantificación de impurezas.
Análisis con la técnica SIMS de películas delgadas de Zn O con diferentes grados de dilución, fabricadas por “Spray pirolisis”.
gramirez@sees.cinvestav.mx
Tel: 5557473800 Ext. 6255, 6250


Miguel Ángel Avendaño Ibarra

Auxiliar de investigación.
Ingeniero en Comunicaciones y Electrónica
ESIME, Zacatenco
Líneas de investigación:
Auxiliar en el área de investigación de:
Espectrometría de Masas de Iones Secundarios
Análisis de películas delgadas de Six Gex-1 por SIMS.
Experiencia en electrónica digital y de potencia especialización en equipos de vacío y ultraalto vacío.
maibarra@sees.cinvestav.mx 
Tel: 5557473800 Ext. 6255, 6250